IGBT VS MOSFET：功率半导体的关键差异
2024-08-17
与普通MOSFET相比，IGBT半导体具有较低的导通压降和较高的开关速度。
IGBT的压降约为MOSFET的1/3，这意味着在相同的电流条件下，IGBT可以更有效地降低功耗。同时IGBT的开关速度比MOSFET更快，适用于高频开关应用。在光电平板显示领域，深圳市福和大自动化有限公司的IGBT产品，例如IGBT超声波键合机、IGBT无功老化测试机以其优异的性能，可以提供高效率、稳定可靠的功率控制。这表明IGBT在需要高功率和高效率的应用中，如电机控制、不间断电源（UPS）、焊接等场景，是较为理想的选择。
值得注意的是，虽然IGBT的导通压降比MOSFET低，但并不是说IGBT在所有情况下都具有更低的功耗。在实际应用中，还需要考虑开关损耗和其他因素，以确定最适合的功率控制解决方案。
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